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副边75W开关电源芯片U6101D
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频率可外部编程,并内置频率抖动EMI
副边反馈/外驱MOSFET,启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制,内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP
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副边75W开关电源芯片U6101S
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频率可外部编程,并内置频率抖动EMI
副边反馈/外驱MOSFET,启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制,内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP
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12V 1A能效六级方案
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效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
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副边15W开关电源芯片 SF1539HT
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内置600V功率MOSFET
可编程外部过温保护OTP
专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败
副边反馈/内置MOSFET,内置4ms软启动
管脚浮空保护
启动电流
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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副边15W开关电源芯片 SF1539
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内置600V功率MOSFET
可编程外部过温保护OTP
专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败
内置4ms软启动
管脚浮空保护
启动电流
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿实现全电压平坦OCP曲线
副边反馈/内置MOSFET,内置前沿消隐
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副边15W开关电源芯片 SF1538
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副边反馈/内置600V功率MOSFET
可编程外部过温保护OTP
专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败
内置4ms软启动
管脚浮空保护
启动电流
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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副边150W开关电源芯片 SF1565
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频率可外部编程,并内置频率抖动EMI
副边反馈/外驱MOSFET,启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制,内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(UVLO),过压保护及钳位
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副边150W开关电源芯片 SF1560
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频率可外部编程,并内置频率抖动EMI
副边反馈/外驱MOSFET,启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制,内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(UVLO),过压保护及钳位
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副边50W开关电源芯片 SF1530
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副边反馈/外驱MOSFET,管脚浮空保护
系统频率可编程,并内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制,内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
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原边25W开关电源芯片 SF6771T
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原边反馈/外置MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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副边65W开关电源芯片 SF5533
更多 +
副边反馈/外驱MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
无异音OCP补偿低压重载异音
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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副边18W开关电源芯片 SF5549H
更多 +
副边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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隔离36W开关电源芯片 SFL950
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提高系统效率,异音。
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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副边15W开关电源芯片 SF5539H
更多 +
效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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24W系列 12V2A能效六级方案
提高系统效率,异音更多 +
内置软启动, 管脚浮空保护
效率满足 六级能效
启动电流
QR技术提高全负载效率,EMI和谷底切换异音
输出过压保护电压可外部编程
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
内置频率抖动EMI
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18W系列12V1.5A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
内置逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
OLP可编程
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65W系列 19V3.42A能效六级方案
优化降频技术提率更多 +
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
效率满足 六级能效
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
无异音OCP补偿低压重载异音
OLP时间可编程
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置频率抖动EMI
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48W系列 48W能效六级方案
提高系统效率,异音。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’,待机<75mW
±4%恒压恒流精度,多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制,无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护(UVLO),过压保护及钳位
OTP过温保护
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10W系列 5V2A能效六级方案
±4%恒压恒流精度,多模式PSR控制。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置快速动态响应控制,无异音工作。
输出过压保护,VDD欠压保护,VDD过压保护及钳位。
QR-PSR控制提高工作效率。
内置600V 功率MOSFET