- [公司新闻]25W氮化镓快充芯片U8723AH合理平衡工作频率问题2024年11月21日 14:32
- 提升芯片的工作频率，无疑能够加快设备的处理速度，提升用户体验，但高频率意味着更高的功耗和更大的发热量，还可能会对设备的稳定性和寿命造成不良影响。因此，在设计芯片时，需要在提升工作频率与降低功耗和发热量之间找到一个平衡点。深圳银联宝科技的25W氮化镓快充芯片U8723AH，推荐的RSEL电阻值在1kΩ，最高频率限制220kHz；在2kΩ时，最高频率限制130kHz，一起详细了解下。 氮化镓快充芯片U8723AH复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接详见规格书。芯片启动
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- [公司新闻]PD快充芯片U8766满足宽输出电压应用场合需求2024年11月15日 15:03
- 具有宽输入电压和输出电压范围的单电池充电器集成电路IC使得能够在具有不同输入适配器和电池配置的各种应用中使用相同的充电器，从而帮助缩短开发时间，还能获得更优化的充电体验。PD快充芯片U8766最高支持220kHz开关频率，适用于高功率密度的交直流转换器设计。 针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。PD快充芯片U8766集成了Boost供电技术，仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可，在输出电压较低时
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- [公司新闻]PD快充芯片U8722BAS可减少非必要能效损耗2024年10月31日 10:58
- GaN技术的零反向恢复特性(因为不存在体二极管)导致二极管反向偏置电流没有稳定时间，从而降低了死区损失，提高了效率。GaN的开关频率更高，电流纹波更低，这样就可以减小无源器件的尺寸，从而实现更平滑的电机驱动GaN设计。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。 ■集成E-GaN和驱动电流分档功能 PD快充芯片U8722BAS集成高压E-Mo
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- [公司新闻]小于30mW超低待机功耗氮化镓快充芯片U87652024年10月29日 14:42
- 相信大家都清楚，轻载或空载状态下，开关损耗在转换效率中占主导地位。所以为了降低待机功耗，大部分电源芯片都采取载轻降频的控制方式。而芯片的控制方式可以说是决定待机功耗最重要的一环。氮化镓快充芯片U8765是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。 氮化镓快充芯片U8765主要特性： 集成高压 E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 谷底锁
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- [公司新闻]20W氮化镓快充芯片首选方案——U8722AH2024年10月11日 14:47
- 采用氮化镓技术的充电器，在相同体积和输出功率下，温度也会比硅基更低。氮化镓技术可使功率系统设计者达到更高的利用效率，节约了成本、节省了空间。这些优异的材料特性，也是氮化镓在充电器市场如此火爆的原因。深圳银联宝科技快充芯片U8722AH，是20W氮化镓快充芯片首选方案！ 20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW 的超低待机功耗。 20W快充芯片U8722A
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- [公司新闻]PD快充芯片U8724AH集成实现更高效的电源系统管理2024年09月26日 10:48
- 氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题。在许多应用中，GaN能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。深圳银联宝科技新推出的集成E-GaN的高频高性能准谐振模式ACDC功率开关PD快充芯片U8724AH，内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压快速充电器、适配器的应用场景！ PD快充芯片U8724AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片采用准谐振控制方式，最高支持220kHz开关频率，适
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- [公司新闻]30W集成高压E-GaN快充芯片U8722CAS2024年09月18日 11:24
- 有了氮化镓等新型材料的加持，近两年很多品牌都上线了各种氮化镓快充充电器。氮化镓充电器不但可以提高设备的充电效率，而且在体积、散热等方面也有十分不错的表现，加上技术的不断完善和升级，氮化镓充电器价格也不断下探。30W氮化镓快充芯片U8722CAS成本低、质量好，可以帮你缓解充电器成本焦虑。 30W氮化镓快充芯片U8722CAS集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值
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- [公司新闻]携手快充芯片U8723AH一起进入GaN赛道2024年08月16日 15:09
- 智能快充技术的飞速发展和市场的爆火背后其实都少不了GaN的支撑，GaN等第三代功率半导体技术的日益成熟已逐渐成为行业内的技术发展重点。受其影响，目前市场上的智能快充大都在往小型化、大功率化发展，用户的需求也正往多口化方向发展。深圳银联宝科技接连推出多款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式ACDC功率开关快充芯片，市场反馈颇佳！ 快充芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于
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- [公司新闻]快充芯片U8722XAS集成轻载SR应力优化功能2024年08月14日 14:49
- 快充芯片U8722XAS产品型号分别为U8722BAS、U8722CAS、U8722DAS，推荐最大输出功率对应为25W、30W、35W，是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。订购信息如下： 快充芯片U8722XAS主要特性： 1.集成 高压 E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8733高压启动机制确保运行稳定2024年08月06日 10:46
- 在传统电力电子设备中，低压启动常常导致设备性能不稳定，甚至损坏器件。而集成700V的氮化镓快充芯片U8733，通过其高效的高压启动机制，轻松解决了这一难题。这种设计不仅能确保设备在高电压环境下稳定运行，还能有效提高系统的整体效率，为用户带来更加可靠的使用体验。 氮化镓快充芯片U8733主要特征： 集成 700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成 EMI 优化技术 驱动电
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- [公司新闻]恒功率U872XAH系列氮化镓快充芯片2024年07月25日 14:32
- 恒功率U872XAH系列氮化镓快充芯片包含了U8722AH、U8723AH、U8724AH三种型号，编带盘装，5000颗/卷，是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片采用准谐振控制方式，最高支持220kHz开关频率，适用于高功率密度的交直流转换器设计。 氮化镓快充芯片U872XAH系列主要特性： 集成高压 E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成
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- [公司新闻]来自氮化镓快充芯片U8722+同步整流芯片U7612的默契组合2024年07月23日 15:13
- 深圳银联宝科技氮化镓快充芯片U8722采用准谐振控制方式，最高支持220kHz开关频率，适用于高功率密度的交直流转换器设计，不仅可实现过温保护、短路保护等保护功能，而且大大提高电源转换效率，有效保障电源的安全性和可靠性；同时采用银联宝同步整流芯片U7612，默契搭配，成就经典电源方案！ 氮化镓快充芯片U8722是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8722可全范
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8722AH大幅提升充电性能2024年07月15日 11:01
- 目前市场已推出多种快充技术方案。其中PD方案的出现，助力推动了快充产品的普及。在快速充电器中，变压器为最重要元件，而氮化镓则是不容忽视的重要材料。氮化镓产品能耗低，充电效率高，体积小、轻便等优势在快充电源市场的比重越来越高，比如深圳银联宝科技最新推出的氮化镓快充芯片U8722AH，就在电源应用市场上有着不错的口碑！ 氮化镓快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30m
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- [公司新闻]绿色环保的践行者——氮化镓快充芯片U87332024年07月04日 11:17
- 在传统电力电子设备中，低压启动常常导致设备性能不稳定，甚至损坏器件。而集成700V的氮化镓快充芯片U8733，通过其高效的高压启动机制，轻松解决了这一难题。这种设计不仅能确保设备在高电压环境下稳定运行，还能有效提高系统的整体效率，为用户带来更加可靠的使用体验。 氮化镓快充芯片U8733主要特征： 集成 700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成 EMI 优化技术 驱动电
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- [公司新闻]GaN快充芯片U8607为18~65W应用提供全新解决方案2024年06月27日 11:02
- 在各式各样的快充充电器之中，“GaN”这三个字近日越来越受到消费者的青睐。GaN快充充电器是一种基于GaN功率器件的新型快充充电器，GaN功率器件可以实现更高的功率密度和转换效率，从而缩小充电器的体积和重量，并提高充电速度和安全性。深圳银联宝科技最新推出的GaN快充芯片U8607，是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。 GaN快充芯片U8607集成了高压启动功能。在启动阶段，U8607通过芯片
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- [公司新闻]外置OTP及主动降功率功能的PD快充芯片U87332024年05月21日 14:46
- 深圳银联宝科技最新推出的U8733，是一款30W PD GAN带OTP保护及主动降功率功能的PD快充芯片，与之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U8722有所不同，接下来会为小伙们详细讲解下。 PD快充芯片U8733主要特点： 1、集成 700V E-GaN 2、集成高压启动功能 3、超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4、谷底锁定模式 ， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 5、集成 EMI 优化技术 6、驱动电流分档配置 7、集成恒功率功能 8、
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- [公司新闻]25W PD快充芯片新势力——U8722BH2024年02月27日 14:48
- 对于手机厂商来说，手机快充不统一的情况下，用户买充电头、充电线都需要买自己的，否则就不能实现快充功能。这既是一条可靠的护城河，也是一笔可观的收入。但迫于环保的压力，手机快充也在朝统一的方向前进。深圳银联宝科技的25W PD快充芯片U8722BH经过一段时间的市场检验，获得很高的评价，需要快充芯片的小伙伴有福啦！ 25W PD快充芯片U8722BH的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流可配置功能，可极大的优化系统EMI性能。
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8722DE把握“芯”风向2024年01月24日 15:06
- 氮化镓是提高功率密度和提高多种应用中电源系统和电源效率的关键一步。在设计中使用GaN的公司数量正在迅速增长。降低功耗和提高效率至关重要。深圳银联宝科技新推出的氮化镓快充芯片U8722DE，是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。 氮化镓快充芯片U8722DE主要特点： 1.集成高压启动功能 2.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 3.谷底锁定模式， 最高工作频率
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- [公司新闻]20W理想型充电器PD快充芯片U6620S2023年12月12日 14:14
- 充电要快且安全，重量轻一点，价格便宜一点，这样的理想型充电器，可不能少了充电器、适配器和电机驱动电源的标配——PD快充芯片U6620S！ PD快充芯片U6620S特点： 可支持断续模式、连续模式的原边恒流技术 ±5% 恒流精度；±1%恒压精度 待机功耗75mW 固定 65KHz 开关频率 绿色省电模式和打嗝模式工作 超低启动和工作电流 集成抖频功能优化 EMI 集成内部斜率补偿的电流模式控制 集成线电压和电感量补偿的恒流技
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- [公司新闻]PD/QC快充芯片U6615专用电流模式迅速充电2023年07月04日 14:01
- 随着智能手机对快充需求的进一步膨胀，PD/QC快充芯片也发展到了现今的成熟阶段。曾经的闪电式充电梦想正逐步实现，而先进技术，正是实现梦想的第一步。PD/QC快充芯片U6615结合了一个专用的电流模式PWM带4A/630V MOSFEET的模式控制器，可以缩短充电时间，为手机迅速补充电量。 PD/QC快充芯片U6615低待机功率低功耗、低电磁兼容性和低成本。适用于12W范围内的离线反激变换器输出功率。U6615集成有多种保护功能：VDD 欠压保护 (UVLO)、VDD 过压保
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